William Shockley : Diferéncia entre lei versions

Contengut suprimit Contengut apondut
Addbot (discussion | contribucions)
m Bot: Migrating 52 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q163415 (translate me)
m Nòva Jersey -> Nòva Jersei., replaced: Nòva Jersey → Nòva Jersei using AWB
 
Linha 22 :
}}
{{nobel}}
'''William Bradford Shockley Jr.''' (n. [[13 de febrièr]] de [[1910]] - m. [[12 d'agost]] de [[1989]]) foguèt un un [[fisica|fisician]] nòrd-american premiat amb lo [[Prèmi Nobel de Fisica]] l'an [[1956]].
 
==Biografia==
Nasquèt dins la vila de [[Londres]] filh de parents nòrd-americans. Installat amb la siá familha a l'[[Estats dels Estats Units|estat nòrd-american]] de [[Califòrnia]] estudièt [[fisica]] a l'Institut Tecnologic de Califòrnia e se doctorèt l'an [[1936]] a l'Institut Tecnologic de Massachusetts.
 
William Shockey moriguèt lo [[1989]] dins la vila californiana de Stanford a consequéncia d'un [[càncer de prostata]].
 
==Recèrca scientifica==
Inicièt los sieus primièrs trabalhs a l'entorn dels [[electrons]] als [[Laboratòris Bèles]] de [[Nòva JerseyJersei]], contunhant posteriorament en l'investigacion sul [[radar]], fins que lo [[1942]] abandonèt lo sieu càrrer als Laboratòris Bèles per venir director del Grop de recèrca de la guèrra anti-submarina de l'Universitat de Columbia.
 
A la fin de la [[Segonda Guèrra Mondiala]] los laboratòris Bèles formèron un grop de trabalh a l'entorn de la fisica d'estat solid, condusit per Shockley e lo [[Quimia|quimista]] [[Stanley Morgan]], amb la collaboracion de [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]], [[Gerald Pearson]], Robert Gibney, Hilbert Moore e de divèrses tecnicians. La siá assignacion èra cercar una alternativa d'estat solid als [[amplificador]]s de [[cristal]] fragilas de la [[valvula de void]]. Las siás primièras temptativas foguèron basadas en las idèas de Shockley sus usar un [[camp electric]] extèrne en un [[semiconductor]] per afectar la siá [[Conductivitat electrica|conductivitat]]. Aqueles assages manquèron a cada pròva, fins que Bardeen suggeriguèt una teoria que invocava los estats superficiales qu'evitèron que lo camp penetrèt lo semiconductor. Las siás recèrcas contunhèron amb la descripcion del [[diòde]], la version electronica de la valvula de void. Las siás recèrcas a l'entorn dels semiconductors lo portèron a formular lo [[4 de julhet]] de [[1951]] lo [[transistor bipolar]], en obtenent la siá brevet en setembre del meteis an.
 
Lo [[1957]] fondèt lo sieu pròpri laboratòri d'investigacion, Fairchild Semiconductor, mas la siá forma de portar l'entrepresa provoquèt qu'uèch de los sieus investigadors abandonèsson la companhiá lo [[1958]], que foguèsson entre el Robert Noyce e Gordon Moore que mai tard crearián [[Intel]].
 
L'an [[1956]] foguèt premiat amb lo [[Prèmi Nobel de Fisica]], amb John Bardeen e Walter Houser Brattain, ''per la siá recèrca en semiconductors e per la descobèrta de l'efièch transistor''.